而數(shù)顯的微測(cè)量裝置，用于顯示被測(cè)材料樣品的厚度。
陶瓷材料的介質(zhì)損耗主要來(lái)源于電導(dǎo)損耗、松弛質(zhì)點(diǎn)的極化損耗和結(jié)構(gòu)損耗。此外，表面氣孔吸附水分、油污及灰塵等造成的表面電導(dǎo)也會(huì)引起較大的損耗。
器。可以在工頻高壓下，現(xiàn)場(chǎng)測(cè)量各種決緣材料、決緣套管、電力電纜、電容器、互感器、變壓器等高壓設(shè)備的介質(zhì)損耗角正切值（tgδ）和電容值（Cx）。儀器為一體化結(jié)構(gòu)，內(nèi)置標(biāo)準(zhǔn)電容器和升壓電源，體積小、重量輕，便于攜帶，具有操作簡(jiǎn)單、自動(dòng)測(cè)量、讀數(shù)直觀、無(wú)需換算、精度高、抗干擾能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),亦可外接電源與本廠生產(chǎn)的各種規(guī)格的高電壓等級(jí)的標(biāo)準(zhǔn)電容器配套使用，用以測(cè)量高壓介損。
緊密結(jié)構(gòu)的晶體離子都排列很有規(guī)則，鍵強(qiáng)度比較大，如α-Al2O3、鎂橄欖石晶體等，在外電場(chǎng)作用下很難發(fā)生離子松弛極化，只有電子式和離子式的位移極化，所以無(wú)極化損耗，僅有的一點(diǎn)損耗是由漏導(dǎo)引起的（包括本質(zhì)電導(dǎo)和少量雜質(zhì)引起的雜質(zhì)電導(dǎo)）。這類(lèi)晶體的介質(zhì)損耗功率與頻率無(wú)關(guān)，損耗角正切隨頻率的升高而降低。因此，以這類(lèi)晶體為主晶相的陶瓷往往用在高頻場(chǎng)合。如剛玉瓷、滑石瓷、金紅石瓷、鎂橄欖石瓷等
6位數(shù)字顯示；In: 英制測(cè)量模式；INC：相對(duì)測(cè)量模式；ABS：決對(duì)測(cè)量模式；Set： 初始值設(shè)置； ：電池電壓低報(bào)警（ 電池的更換見(jiàn)后面五注意事項(xiàng) ）； ： 數(shù)據(jù)輸出。 5）數(shù)據(jù)發(fā)送按鍵（本裝置沒(méi)有此功能） 6）ABS /INC/UNIT 按鍵：短按時(shí)（小于 1 秒）為 ABS /INC 轉(zhuǎn)換，長(zhǎng)按時(shí)（大于 1 秒） 為英制/公制轉(zhuǎn)換。 7）ON/OFF/ SET 按鍵：短按時(shí)為開(kāi)關(guān)液晶顯示屏；長(zhǎng)按時(shí)為初始值設(shè)置。 8）平板電容器極片 9）夾具插頭 2．被測(cè)樣品的準(zhǔn)備 被測(cè)樣品要求為圓形，直徑 50.4--52mm/38.4--40mm，這是減小因樣品邊緣泄漏和邊 緣電場(chǎng)引起的誤差的有效辦法。
該儀器同樣適用于車(chē)間、試驗(yàn)室、科研單位測(cè)量高壓電器設(shè)備的tgδ及電容量；配以決緣油杯可測(cè)試決緣油介質(zhì)損耗。
陶瓷材料的損耗
把配用的 Q 表主調(diào)諧電容置于較小電容量。
品止（注意調(diào)節(jié)時(shí)要用測(cè)微桿，以免夾得過(guò)緊或過(guò)松），這時(shí)能讀取的測(cè)試裝置液晶顯示 屏上的數(shù)值，既是樣品的厚度 D2。改變 Q 表上的主調(diào)電容容量，使 Q 表處于諧振點(diǎn)上。 b. 取出平板電容器中的樣品，這時(shí) Q 表又失諧，此時(shí)調(diào)節(jié)平板電容器，使 Q 表再 回到諧振點(diǎn)上，讀取測(cè)試裝置液晶顯示屏上的數(shù)值記為 D4 c. 計(jì)算被測(cè)樣品的介電常數(shù)： Σ＝D2 / D4 5．介質(zhì)損耗系數(shù)的測(cè)試 a. 重新把測(cè)試裝置上的夾具插頭插入到 Q 表測(cè)試回路的“電容”兩個(gè)端上。 把被測(cè)樣品插入二極片之間，改變 Q 表上的主調(diào)電容容量，使 Q 表處于諧振點(diǎn)上，讀得 Q 值，記為 Q2。電容讀數(shù)記為 C2。 b. 取出平板電容器中的樣品，這時(shí) Q 表又失諧，再改變 Q 表上的主調(diào)電容容量，使 Q 表重新處于諧振點(diǎn)上。讀得 Q 值，記為 Q1。電容讀數(shù)記為 C1。 c. 然后取下測(cè)試裝置，再改變 Q 表上的主調(diào)電容容量，重新使之諧振，電容讀數(shù)記 為 C3，此時(shí)可計(jì)算得到測(cè)試裝置的電容為 CZ = C3 －C1 d. 計(jì)算被測(cè)樣品的介質(zhì)損耗系數(shù)
配用 Q 表作為調(diào)諧指示儀器，通過(guò)被測(cè)材料樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)材料樣品時(shí)的 Q 值變 化，可測(cè)得決緣材料的損耗角正切值。
各部件名稱(chēng)： 1）棘輪測(cè)力（測(cè)微桿） 2）刻線讀數(shù)裝置 3）鎖緊裝置 4）液晶顯示屏
該儀器是發(fā)電廠、變電站等現(xiàn)場(chǎng)全自動(dòng)測(cè)量各種高壓電力設(shè)備介損正切值及電容量的高精度儀器。能保證在強(qiáng)電場(chǎng)干擾下準(zhǔn)確測(cè)量。儀器增加了中文菜單功能，操作更為簡(jiǎn)單，方便。一次操作，微機(jī)自動(dòng)完成全過(guò)程的測(cè)量。是目前醉理想的介損測(cè)量設(shè)備。
該儀器可用正、反接線方法測(cè)量不接地或直接接地的高壓電器設(shè)備。
損耗角正切值）的測(cè)試。916 介質(zhì)損耗測(cè)試裝置采用了帶數(shù)顯的 微測(cè)量裝置，因而在測(cè)試時(shí)，讀數(shù)更直觀方便，數(shù)據(jù)更精確。
專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)介電常數(shù)測(cè)定儀
全自動(dòng)抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀是一種新穎的測(cè)量介質(zhì)損耗角正切值（tgδ）和電容值（Cx）的智能化儀 介質(zhì)損耗測(cè)試儀圖片
把本測(cè)試裝置上的夾具插頭插入到 Q 表測(cè)試回路的“電容”兩個(gè)端子上。
結(jié)構(gòu)松散的離子晶體，如莫來(lái)石（3Al2O3·2SiO2）、董青石（2MgO·2Al2O3·5SiO2）等，其內(nèi)部有較大的空隙或晶格畸變，含有缺陷和較多的雜質(zhì)，離子的活動(dòng)范圍擴(kuò)大。在外電場(chǎng)作用下，晶體中的弱聯(lián)系離子有可能貫穿電極運(yùn)動(dòng)，產(chǎn)生電導(dǎo)打耗。弱聯(lián)系離子也可能在一定范圍內(nèi)來(lái)回運(yùn)動(dòng)，形成熱離子松弛，出現(xiàn)極化損耗。所以這類(lèi)晶體的介質(zhì)損耗較大，由這類(lèi)品體作主晶相的陶瓷材料不適用于高頻，只能應(yīng)用于低頻場(chǎng)合。
多種測(cè)量方式 可選擇正/反接線、內(nèi)/外標(biāo)準(zhǔn)電容器和內(nèi)/外試驗(yàn)電壓進(jìn)行測(cè)量。正接
儀器內(nèi)部裝備了高壓升壓變壓器，并采取了過(guò)零合閘、防雷擊等安全保護(hù)措施。試驗(yàn)過(guò)程中直接加220V交流電源，可輸出2KV、5KV、10KV 不同等級(jí)的高壓，操作簡(jiǎn)單、安全。
專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)介電常數(shù)測(cè)定儀
特點(diǎn)：n 自動(dòng)簡(jiǎn)單 接線簡(jiǎn)單（正接法兩根線，反接可使用一根線），所有電纜線均有接地屏蔽，所以都能拖地使用，測(cè)量電壓緩升、緩降，全自動(dòng)測(cè)量，結(jié)果直讀，無(wú)須換算。
復(fù)雜玻璃中的介質(zhì)損耗主要包括三個(gè)部分：電導(dǎo)耗、松弛損耗和結(jié)構(gòu)損耗。哪一種損耗占優(yōu)勢(shì)，取決于外界因素溫度和電場(chǎng)頻率。高頻和高溫下，電導(dǎo)損耗占優(yōu)勢(shì)：在高頻下，主要的是由弱聯(lián)系離子在有限范圍內(nèi)移動(dòng)造成的松弛損耗：在高頻和低溫下，主要是結(jié)構(gòu)損耗，其損耗機(jī)理還不清楚，可能與結(jié)構(gòu)的緊密程度有關(guān)。般來(lái)說(shuō)，簡(jiǎn)單玻璃的損耗是很小的，這是因?yàn)楹?jiǎn)單玻璃中的“分子”接近規(guī)則的排列，結(jié)構(gòu)緊密，沒(méi)有弱聯(lián)系的松弛離子。在純玻璃中加人堿金屬化物后。介質(zhì)損耗大大增加，并且隨著加人量的增大按指數(shù)規(guī)律增大。這是因?yàn)閴A性氧化物進(jìn)人玻璃的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)后，使離子所在處點(diǎn)陣受到破壞，結(jié)構(gòu)變得松散，離子活動(dòng)性增大，造成電導(dǎo)損耗和松弛損耗增加。
工作特性 1. 平板電容器： 極片尺寸：Φ50mm/Φ25.4mm （標(biāo)配） 可選 極片間距可調(diào)范圍：≥15mm 2. 夾具插頭間距：25mm±0.01mm 3. 夾具損耗正切值≤4×10－4 （1MHz） 4．測(cè)微桿分辨率：0.001mm
工作原理 本測(cè)試裝置主要由一個(gè)數(shù)顯的微測(cè)量裝置和一組間距可調(diào)的平板電容器組成，平板電 容器用于夾持被測(cè)材料樣品。
配上和測(cè)試頻率相適應(yīng)的高 Q 值電感線圈（本公司 Q 表配套使用的 LKI-1 電感組 能滿足要求），如：1MHz 時(shí)電感取 250uH，15MHz 時(shí)電感取
樣品厚度可在 1--5mm 之間，樣品太薄或太厚就會(huì)使測(cè)試 精度下降，樣品要盡可能平直。 下面推薦一種能提高測(cè)試精確性的方法：準(zhǔn)備二片厚 0.05mm 的圓形錫膜，直徑和平 板電容器極片一致，錫膜兩面均勻地涂上一層薄薄的凡士林，它起粘著作用，又能排除接 觸面之間殘余空氣，把錫膜再粘在平板電容器兩個(gè)極片上，粘好后，極片呈鏡面狀為佳， 然后放上被測(cè)樣品。
在結(jié)構(gòu)緊密的陶瓷中，介質(zhì)損耗主要來(lái)源于玻璃相。為了改善某些陶瓷的工藝性能，往往在配方中引人此易熔物質(zhì)（如黏土），形成玻璃相，這樣就使損耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷隨黏土含量增大，介質(zhì)損耗也增大。因面一般高頻瓷，如氧化鋁瓷、金紅石等很少含有玻璃相。大多數(shù)電陶瓷的離子松弛極化損耗較大，主要的原因是：主晶相結(jié)構(gòu)松散，生成了缺固濟(jì)體、多品型轉(zhuǎn)變等。 [3]
線可測(cè)量高壓介損離子晶體的介質(zhì)損耗與其結(jié)構(gòu)的緊密程度有關(guān)。
測(cè)試準(zhǔn)備工作 先要詳細(xì)了解配用 Q 表的使用方法，操作時(shí)，要避免人體感應(yīng)的影響。
同時(shí)，由平板電容器的刻度讀值變化而換算可得到 決緣材料介電常數(shù)。
高分子材料的損耗
玻璃的損耗
高分子聚合物電介質(zhì)按單體單元偶極矩的大小可分為極性和非極性兩類(lèi)。一般地，偶極矩在0~0.5D（德拜）范圍內(nèi)的是非極性高聚物；偶極矩在0.5D以上的是極性高聚物。非極性高聚物具有較低的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗，其介電常數(shù)約為2，介質(zhì)損耗小于10-4；極性高聚物則具有較高的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗，并且極性愈大，這兩個(gè)值愈高。
|
